小型坩堝熔煉爐可控硅的均壓和均流措施

　　無(wú)論是逆變橋還是整流橋中的可控硅，由于裝置容量大，輸出電壓高，加上目前生產(chǎn)的可控硅的耐壓和額定電流有限，所以單個(gè)元件達(dá)不到要求，而需要采用多個(gè)元件串聯(lián)或并聯(lián)組成各橋臂來(lái)精足電壓、電流要求，這*需要考慮元件間的均壓和均流問(wèn)題。

　?。?）元件串聯(lián)當(dāng)小型坩堝熔煉爐可控硅的額定正向阻斷峰值電壓和反向阻斷峰值電壓小于實(shí)際要求值時(shí)，必須采用串聯(lián)連接。

　　參加串聯(lián)的各元件J必須是同一型號(hào)的，盡可能挑選正向漏電流和反向漏電流特性一致的元件，若能保證控制極觸發(fā)特性也一致*更好。此外應(yīng)采取均壓措施。

　　小型坩堝熔煉爐可控硅串聯(lián)連接時(shí)，必須降壓運(yùn)行，即實(shí)際工作電壓應(yīng)小于串聯(lián)元件額定反峰壓總和的90%。此外，元件串聯(lián)后，對(duì)控制極觸發(fā)脈沖要求提高了，要求串聯(lián)的可控硅之間的開(kāi)通時(shí)間差要小。因此，脈沖前沿要陡（在1～2微秒以?xún)?nèi)），觸發(fā)功率要大。

　?。?）元件并聯(lián)單個(gè)元件的額定正向平均電流不能滿(mǎn)足要求時(shí)，必須采用并聯(lián)連接。參加并聯(lián)的各元件的正向?qū)▔航导坝|發(fā)特性應(yīng)盡量一致。

　　元件并聯(lián)后應(yīng)采取均流措施，可盥在每個(gè)元件上串聯(lián)電阻或電感后并聯(lián)，也可阻采用均流電抗器。在中頻裝置中，采用套磁環(huán)的方法（相當(dāng)于均流電擾器）比較方便。

　　元件并聯(lián)后的總工作電流應(yīng)不大干元件額定電流總和的80%，并要求觸發(fā)脈沖源內(nèi)阻小，脈沖前沿陡，功率大，脈沖寬度也不要太小。